この活動では，ハード（現実空間）とソフト（仮想空間：データサイエンス）の両者を扱うことのできる電気電子エンジニア育成を目的としています。酸化物半導体は、メモリや表示デバイス（ディスプレイやスマートウォッチ、タッチパネルなど）に用いられる薄膜トランジスタのチャネル層として使用されています。本年も昨年に引き続き、「酸化物半導体薄膜の成膜」をテーマとして活動に取り組み、半導体薄膜製造装置の仕組みから成膜プロセスと膜質評価を学ぶ予定です。ミスト化学気相成長法は、比較的簡単な装置構成で高品質な酸化物半導体結晶を成長させることができる成膜方法です。本年度は、昨年の先輩方が作製したホットプレートを用いた平板状ミスト化学気相成長装置を改良して、環状加熱装置を利用した環状ミスト化学気相成長装置の構築を行いました(写真①)。この装置により、より結晶性の良い半導体薄膜を成長させる予定です(写真②)。

　表示デバイス（ディスプレイやスマートウォッチ、タッチパネルなど）の薄膜トランジスタのチャネル層として用いられる酸化物半導体の成膜方法として、スパッタリング法が使用されています。そこで今回は、スパッタリング法を用いて酸化物半導体を成膜しました(写真①)。スパッタリング法は、真空容器内で高電圧を印加して生成したプラズマ(写真②)によりターゲットと呼ばれる固体の酸化物半導体を原子化して成膜する方法で、高品質な薄膜を大面積で均一に成膜することが可能であり、多くの分野で実用化されています。写真③は、スパッタリング成膜後に取り出した直後のガラス基板上に成膜された透明な酸化物半導体薄膜（色味がついた透明膜）の様子です。